光罩版

业界又被称为光掩模版、掩膜版，英语名MASK或PHOTOMASK），材料：石英玻璃管、金属铬和感光胶，该设备是由石英玻璃管做为衬底，在其上边镶上一层金属铬和感光胶，变成一种感光原材料，把已构思好的电源电路图型根据电子器件激光切割设备曝光在感光胶上,被曝光的地区会被显影液出去，在金属铬上产生电源电路图型，变成相近曝光后的胶片的光掩模版，随后运用于对集成电路芯片开展投射精准定位，根据集成电路芯片光刻机对所投射的电源电路开展光蚀刻加工，其生产制造工艺流程为：曝光，显影液，去感光胶，最终运用于光蚀刻加工。

构造

实体线构造：铺满集成电路芯片图象的铬金属材料片材的石英石玻璃镜片上的图象。

倍缩光掩模（Reticle）：当铬膜夹层玻璃仅能部分遮盖圆晶称之为倍缩光掩模，通常图形要变大4倍、5倍或10倍。

光掩模（Mask）：当铬膜夹层玻璃上的图形能遮盖全部圆晶时称作光罩。

光刻

光刻（英文：photolithography）是半导体元器件生产制造加工工艺中的一个关键流程，该流程运用曝光和显影液在光刻表面层上描绘几何图构造，随后根据离子注入加工工艺将光掩模上的图案迁移到所属衬底上。这儿所指的衬底不但包括硅晶圆，还能够是别的金属材料层、物质层，比如夹层玻璃、SOS中的蓝色宝石。

最先，根据镀覆全过程，在硅衬底上布局一层仅数纳米技术厚的金属材料层。随后在这里层金属材料上揉弄一层光刻胶。这层光阻剂在曝光（一般是紫外光）后可以被特殊水溶液（显影液）融解。使特殊的光波越过光掩膜直射在光刻胶上，可以对光刻胶开展可选择性直射（曝光）。随后应用前边看到的显影液，融解掉被阳光照射的地区，那样，光掩模上的图型就展现在光刻胶上。通常还将根据烘干处理对策，改进剩下一部分光刻胶的一些特性。

以上流程进行后，就可以对衬底开展可选择性的离子注入或离子注入全过程，未被分解的光刻胶将维护衬底在这种全过程中不被更改。

离子注入或离子注入进行后，将开展光刻的最后一步，将要光刻胶除去，以便于开展半导体元器件生产制造的别的流程。通常，半导体元器件生产制造全部流程中，会开展很多次光刻步骤。生产制造繁杂集成电路芯片的加工工艺流程中有可能必须开展高达50步光刻，而生产制造塑料薄膜需要的光刻频次会少一些。